IPB65R150CFDATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 1 047
Enhetspris : kr 41,37000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 800
Enhetspris : kr 54,36000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 1 451
Enhetspris : kr 80,05000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 16,78560
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 48,49000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 20,80498
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 589
Enhetspris : kr 46,76000
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 25,61538
Datablad

Similar


Vishay Siliconix
På lager: 1 416
Enhetspris : kr 63,59000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 820
Enhetspris : kr 40,98000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 688
Enhetspris : kr 68,69000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 915
Enhetspris : kr 25,21000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 17,62050
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 1 060
Enhetspris : kr 46,08000
Datablad
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB65R150CFDATMA1

DigiKeys produktnummer
IPB65R150CFDATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPB65R150CFDATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 22.4A D2PAK
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 22,4A (Tc) 195,3W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
IPB65R150CFDATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
150mOhm ved 9.3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4.5V ved 900µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
86 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2340 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
195,3W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO263-3
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.