Name: SIHB22N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB22N65E-GE3-ND
Price: 26.00623 NOK
Availability: OutOfStock

SIHB22N65E-GE3
DigiKeys produktnummer	SIHB22N65E-GE3-ND
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SIHB22N65E-GE3
Beskrivelse	MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 22A (Tc) 227W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SIHB22N65E-GE3 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	22A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	180mOhm ved 11A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	110 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2415 pF @ 100 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	227W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-263 (D2PAK)
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	SIHB22

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 20,80498
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 26,00623

SIHB22N65E-GE3