N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB24N65E-GE3

DigiKeys produktnummer
742-SIHB24N65E-GE3-ND
Produsent
Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer
SIHB24N65E-GE3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Vishay Siliconix
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
24A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
145mOhm ved 12A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
122 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2740 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
250W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer
SIHB24
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 1 416
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 68,12000kr 68,12
50kr 36,29540kr 1 814,77
100kr 33,22740kr 3 322,74
500kr 27,85684kr 13 928,42
1 000kr 26,13298kr 26 132,98
2 000kr 25,61538kr 51 230,76
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 68,12000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 85,15000