SIHB24N65E-E3 er tilgjengelig for kjøp, men er normalt ikke lagerført.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Vishay Siliconix
På lager: 1 416
Enhetspris : kr 68,12000
Datablad

Parametrisk ekvivalent


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 25,61538
Datablad

Parametrisk ekvivalent


Vishay Siliconix
På lager: 0
Enhetspris : kr 25,61538
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 800
Enhetspris : kr 54,36000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 9 892
Enhetspris : kr 54,55000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 1 451
Enhetspris : kr 80,05000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 578
Enhetspris : kr 49,64000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 1 095
Enhetspris : kr 40,79000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 7 928
Enhetspris : kr 48,30000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 1 692
Enhetspris : kr 66,38000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 1 192
Enhetspris : kr 51,86000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 0
Enhetspris : kr 0,00000
Datablad

Similar


IXYS
På lager: 4 207
Enhetspris : kr 67,73000
Datablad
N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.
N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB24N65E-E3

DigiKeys produktnummer
SIHB24N65E-E3-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SIHB24N65E-E3
Beskrivelse
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Produsentens standard leveringstid
22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Overflatemontering TO-263 (D2PAK)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
145mOhm ved 12A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
122 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2740 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
250W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263 (D2PAK)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Tilgjengelig for bestilling
Kontroller leveringstid
Dette produktet er ikke på lager hos DigiKey. Leveringstiden som vises, er for produsentens leveranse til DigiKey. Etter å ha mottatt produktet, vil DigiKey sende ut åpne ordrer.
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1 000kr 25,61538kr 25 615,38
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 25,61538
Enhetspris med merverdiavgift:kr 32,01923