Name: IPB50N10S3L16ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND
Price: 39.45 NOK
Availability: OutOfStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IPB50N10S3L16ATMA1
DigiKeys produktnummer	IPB50N10S3L16ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IPB50N10S3L16ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IPB50N10S3L16ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPB50N10S3L16ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 50A TO263-3
Produsentens standard leveringstid	9 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-3-2
Datablad	Datablad

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	50A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	15.4mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.4V ved 60µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	64 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4180 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	100W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-3-2
Kapsling	TO-263-3, D2PAK (2 ledere + plate), TO-263AB
Baseproduktnummer	IPB50N10

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1 000	kr 10,33082	kr 10 330,82
2 000	kr 9,79596	kr 19 591,92

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 31,56000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 39,45000

IPB50N10S3L16ATMA1