Name: IMBG65R260M1HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND
Price: 54.025 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG65R260M1HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R260M1HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R260M1HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R260M1HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG65R260M1HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 6A (Tc) 65W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R260M1HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSIC™ M1
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	6A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	346mOhm ved 3,6A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,7V ved 1,1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	6 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	201 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	65W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO263-7-12
Kapsling	TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Baseproduktnummer	IMBG65R