
IMBG65R026M2HXTMA1 | |
|---|---|
DigiKeys produktnummer | 448-IMBG65R026M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R026M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R026M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produsent | |
Produsentens produktnummer | IMBG65R026M2HXTMA1 |
Beskrivelse | SILICON CARBIDE MOSFET |
Produsentens standard leveringstid | 24 Uker |
Kundereferanse | |
Detaljert beskrivelse | N-kanal 650 V 68A (Tc) 263W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12 |
Datablad | Datablad |
EDA-/CAD-modeller | IMBG65R026M2HXTMA1 Modeller |
Type | Beskrivelse | Velg alle |
|---|---|---|
Kategori | ||
Produsent | ||
Serie | ||
Emballasje | Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel® | |
Delestatus | Aktiv | |
FET-type | ||
Teknologi | ||
Drain til Source-spenning | 650 V | |
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C | ||
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) | 15V, 20V | |
Rds på (maks) ved Id, Vgs | 24mOhm ved 34,5A, 20V | |
Vgs(th) (maks) ved Id | 5,6V ved 7mA | |
Vgs Gate-lading (Qg) (maks) | 42 nC @ 18 V | |
Vgs (maks) | +23V, -7V | |
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds | 1499 pF @ 400 V | |
FET-egenskap | - | |
Effekttap (maks) | 263W (Tc) | |
Driftstemperatur | -55°C – 175°C (TJ) | |
Grad | - | |
Godkjenning | - | |
Monteringstype | Overflatemontering | |
Leverandørens enhetsforpakning | PG-TO263-7-12 | |
Kapsling |
| Antall | Enhetspris | Utvidet pris |
|---|---|---|
| 1 | kr 117,40000 | kr 117,40 |
| 10 | kr 81,50400 | kr 815,04 |
| 100 | kr 69,38100 | kr 6 938,10 |
| Antall | Enhetspris | Utvidet pris |
|---|---|---|
| 1 000 | kr 56,68382 | kr 56 683,82 |
| Enhetspris uten merverdiavgift: | kr 117,40000 |
|---|---|
| Enhetspris med merverdiavgift: | kr 146,75000 |

