IGO60R070D1AUMA2 Infineon Technologies | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IGO60R070D1AUMA2
DigiKeys produktnummer	448-IGO60R070D1AUMA2TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IGO60R070D1AUMA2CT-ND - Båndavsnitt (CT)
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IGO60R070D1AUMA2
Beskrivelse	GAN HV
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Overflatemontering PG-DSO-20-85
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IGO60R070D1AUMA2 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT)
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	-
Rds på (maks) ved Id, Vgs	-
Vgs(th) (maks) ved Id	1.6V ved 2.6mA
Vgs (maks)	-10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	380 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	125W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-DSO-20-85
Kapsling	20-PowerSOIC (0,433", 11,00mm bredde)
Baseproduktnummer	IGO60