Name: IAUZ40N06S5N105ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1TR-ND
Price: 15.95 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUZ40N06S5N105ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUZ40N06S5N105ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUZ40N06S5N105ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUZ40N06S5N105ATMA1
Beskrivelse	MOSFET_)40V 60V) PG-TSDSON-8
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 40A (Tj) 42W (Tc) Overflatemontering PG-TSDSON-8-32
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUZ40N06S5N105ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	40A (Tj)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	7V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	10.5mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.4V ved 13µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	16.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1099 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	42W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSDSON-8-32
Kapsling	8-PowerTDFN