Name: IAUS300N10S5N014ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND
Price: 85.8125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUS300N10S5N014ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUS300N10S5N014ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUS300N10S5N014ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUS300N10S5N014ATMA1
Beskrivelse	MOSFET_(75V 120V( PG-HSOG-8
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 360A (Tj) 375W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUS300N10S5N014ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	360A (Tj)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	1.4mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 275µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	216 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	16011 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	375W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOG-8-1
Kapsling	8-PowerSMD, måkevinge