Name: IAUC60N04S6L030HATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR-ND
Price: 30.025 NOK
Availability: InStock

IAUC60N04S6L030HATMA1 er ikke på lager og kan bestilles/legges inn som restordrenotering.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

IAUCN04S7L023HATMA1

Infineon Technologies

På lager: 985

Enhetspris : kr 22,82000

Datablad

Vis og sammenlign alle erstatninger

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUC60N04S6L030HATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IAUC60N04S6L030HATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IAUC60N04S6L030HATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUC60N04S6L030HATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-56
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUC60N04S6L030HATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Siste kjøpstidspunkt
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (halv bro)
FET-egenskap	Logikknivåport
Drain til Source-spenning	40V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Tj)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	3mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 25µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	35nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	2128pF ved 25V
Effekt - maks	75W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-56
Baseproduktnummer	IAUC60