Name: GS66508BMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS66508BMRXUSA1TR-ND
Price: 260.95 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GS66508BMRXUSA1
DigiKeys produktnummer	448-GS66508BMRXUSA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-GS66508BMRXUSA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-GS66508BMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	GS66508BMRXUSA1
Beskrivelse	GS66508B-MR
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 30A (Tc) Overflatemontering Pressform

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Siste kjøpstidspunkt
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	30A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	63mOhm ved 9A, 6V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,6V ved 7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	6.1 nC @ 6 V
Vgs (maks)	+7V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	242 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	-
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	Pressform
Kapsling	Pressform