Name: GS0650116LRMRXUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND
Price: 63.325 NOK
Availability: OutOfStock

GS0650116LRMRXUSA1 er tilgjengelig for kjøp, men er normalt ikke lagerført.

Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended

Infineon Technologies

På lager: 2 946

Enhetspris : kr 43,72000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GS0650116LRMRXUSA1
DigiKeys produktnummer	448-GS0650116LRMRXUSA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-GS0650116LRMRXUSA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-GS0650116LRMRXUSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	GS0650116LRMRXUSA1
Beskrivelse	GS-065-011-6-LR-MR
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 700 V 12,2A (Tc) Overflatemontering 8-PDFN (8x8)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Siste kjøpstidspunkt
FET-type	N-kanal
Teknologi	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain til Source-spenning	700 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	12,2A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	180mOhm ved 3,2A, 6V
Vgs(th) (maks) ved Id	2,6V ved 2,4mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	2.2 nC @ 6 V
Vgs (maks)	+7V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	70 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	-
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	8-PDFN (8x8)
Kapsling	8-VDFN-eksponert plate