Name: BSC010NE2LSIATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC010NE2LSIATMA1TR-ND
Price: 27.8375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC010NE2LSIATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC010NE2LSIATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC010NE2LSIATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC010NE2LSIATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC010NE2LSIATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 38A/100A TDSON
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 38A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 96W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC010NE2LSIATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 1.05mOhm ved 30A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Serie OptiMOS™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 59 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Ikke for nye utførelser	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4200 pF @ 12 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 96W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 25 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-7
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 38A (Ta), 100A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer BSC010

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

Erstatninger (2)

Delenummer	Produsent	Antall tilgjengelig	DigiKeys produktnummer	Enhetspris	Type erstatning
CSD16401Q5	Texas Instruments	3 499	296-24525-1-ND	kr 33,49000	Similar
PJQ5424_R2_00001	Panjit International Inc.	2 165	3757-PJQ5424_R2_00001CT-ND	kr 10,85000	Similar