Name: BSC050NE2LSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC050NE2LSATMA1TR-ND
Price: 12.975 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC050NE2LSATMA1
DigiKeys produktnummer	BSC050NE2LSATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) BSC050NE2LSATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) BSC050NE2LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC050NE2LSATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 39A (Ta), 58A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-5
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC050NE2LSATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2V ved 250µA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 10.4 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (maks) ±20V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 760 pF @ 12 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 2,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 25 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-5
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 39A (Ta), 58A (Tc)	Kapsling 8-PowerTDFN
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Baseproduktnummer BSC050
Rds på (maks) ved Id, Vgs 5mOhm ved 30A, 10V