Name: FQD1N60CTM
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-FQD1N60CTM-ND
Price: 9.17154 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FQD1N60CTM
DigiKeys produktnummer	2156-FQD1N60CTM-ND
Produsent	Fairchild Semiconductor
Produsentens produktnummer	FQD1N60CTM
Beskrivelse	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 600 V 1A (Tc) 2,5W (Ta), 28W (Tc) Overflatemontering TO-252 (DPak)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Fairchild Semiconductor
Serie	QFET®
Emballasje	Bulk
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	600 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	1A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	11.5Ohm ved 500mA, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	4V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	6.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±30V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	170 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,5W (Ta), 28W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-252 (DPak)
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63