FDG311N Fairchild Semiconductor | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

FDG311N
DigiKeys produktnummer	2156-FDG311N-ND
Produsent	Fairchild Semiconductor
Produsentens produktnummer	FDG311N
Beskrivelse	MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 20 V 1,9A (Ta) 750mW (Ta) Overflatemontering SC-88 (SC-70-6)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Emballasje	Bulk
Delestatus	Utdatert
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	20 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	1,9A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	115mOhm ved 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (maks) ved Id	1.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	4.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)	±8V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	270 pF @ 10 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	750mW (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	SC-88 (SC-70-6)
Kapsling	6-TSSOP, SC-88, SOT-363