Name: DMTH10H4M5LPSWQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND
Price: 36.4375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

DMTH10H4M5LPSWQ-13
DigiKeys produktnummer	31-DMTH10H4M5LPSWQ-13TR-ND - Tape og spole (TR) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13CT-ND - Båndavsnitt (CT) 31-DMTH10H4M5LPSWQ-13DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Diodes Incorporated
Produsentens produktnummer	DMTH10H4M5LPSWQ-13
Beskrivelse	MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 20A (Ta), 107A (Tc) 4,7W (Ta), 136W (Tc) Overflatemontering, Fuktbar side PowerDI5060-8 (Type UX)
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Diodes Incorporated
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A (Ta), 107A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4,9mOhm ved 30A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.5V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	80 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4843 pF @ 50 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	4,7W (Ta), 136W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering, Fuktbar side
Leverandørens enhetsforpakning	PowerDI5060-8 (Type UX)
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	DMTH10