Name: DMN10H170SVT-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN10H170SVT-13DI-ND
Price: 1.96963 NOK
Availability: OutOfStock

DMN10H170SVT-13 er tilgjengelig for kjøp, men er normalt ikke lagerført.

Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent

Diodes Incorporated

På lager: 10 497

Enhetspris : kr 7,94000

Parametrisk ekvivalent

Diodes Incorporated

På lager: 0

Enhetspris : kr 1,81686

Parametrisk ekvivalent

Diodes Incorporated

På lager: 0

Enhetspris : kr 8,95000

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

DMN10H170SVT-13
DigiKeys produktnummer	DMN10H170SVT-13DI-ND - Tape og spole (TR)
Produsent	Diodes Incorporated
Produsentens produktnummer	DMN10H170SVT-13
Beskrivelse	MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
Produsentens standard leveringstid	28 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 2,6A (Ta) 1,2W (Ta) Overflatemontering TSOT-26
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Diodes Incorporated
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR)
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	2,6A (Ta)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	160mOhm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	9.7 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1167 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,2W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TSOT-26
Kapsling	SOT-23-6 tynn, TSOT-23-6
Baseproduktnummer	DMN10