XP2530AGY YAGEO XSEMI | Diskrete halvlederprodukter

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

XP2530AGY
DigiKeys produktnummer	5048-XP2530AGYTR-ND - Tape og spole (TR) 5048-XP2530AGYCT-ND - Båndavsnitt (CT) 5048-XP2530AGYDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	YAGEO XSEMI
Produsentens produktnummer	XP2530AGY
Beskrivelse	MOSFET N/P-CH 30V 3.3A SOT26
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 30V 3,3A (Ta), 2,3A (Ta) 1,136W (Ta) Overflatemontering SOT-26
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	YAGEO XSEMI
Serie	-
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Utdatert
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	N- og P-kanal
FET-egenskap	-
Drain til Source-spenning	30V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	3,3A (Ta), 2,3A (Ta)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	72mOhm ved 3A, 10V, 150mOhm ved 2A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	4.5nC ved 4.5V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	320pF ved 15V, 260pF ved 15V
Effekt - maks	1,136W (Ta)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	SOT-23-6
Leverandørens enhetsforpakning	SOT-26