Name: SUD08P06-155L-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUD08P06-155L-GE3TR-ND
Price: 19.225 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SUD08P06-155L-GE3
DigiKeys produktnummer	SUD08P06-155L-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SUD08P06-155L-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SUD08P06-155L-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SUD08P06-155L-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Produsentens standard leveringstid	20 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 60 V 8,4A (Tc) 1,7W (Ta), 20,8W (Tc) Overflatemontering TO-252
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SUD08P06-155L-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	8,4A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	155mOhm ved 5A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	19 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	450 pF @ 25 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1,7W (Ta), 20,8W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	TO-252
Kapsling	TO-252-3, DPAK (2 ledere + plate), SC-63
Baseproduktnummer	SUD08