Name: SISS65DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS65DN-T1-GE3TR-ND
Price: 16.2125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISS65DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISS65DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK
Produsentens standard leveringstid	24 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 30 V 25,9A (Ta), 94A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS65DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	P-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	25,9A (Ta), 94A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	4.6mOhm ved 15A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	138 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4930 pF @ 15 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	5,1W (Ta), 65,8W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PowerPAK® 1212-8S
Kapsling	PowerPAK® 1212-8S
Baseproduktnummer	SISS65