Name: SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISS61DN-T1-GE3TR-ND
Price: 21.2875 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISS61DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	SISS61DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) SISS61DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) SISS61DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISS61DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 30,9A (Ta), 111,9A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS61DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 900mV ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 231 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (maks) ±8V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 8740 pF @ 10 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 20 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 30,9A (Ta), 111,9A (Tc)	Kapsling PowerPAK® 1212-8S
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 1,8V, 4,5V	Baseproduktnummer SISS61
Rds på (maks) ved Id, Vgs 3.5mOhm ved 15A, 4.5V