Name: SISS63DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND
Price: 20.4625 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SISS63DN-T1-GE3
DigiKeys produktnummer	742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Vishay Siliconix
Produsentens produktnummer	SISS63DN-T1-GE3
Beskrivelse	MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Produsentens standard leveringstid	22 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	P-kanal 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Overflatemontering PowerPAK® 1212-8S
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SISS63DN-T1-GE3 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 1.5V ved 250µA
Produsent Vishay Siliconix	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 236 nC @ 8 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (maks) ±12V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 7080 pF @ 10 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-type P-kanal	Driftstemperatur -55°C – 150°C (TJ)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 20 V	Leverandørens enhetsforpakning PowerPAK® 1212-8S
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 35,1A (Ta), 127,5A (Tc)	Kapsling PowerPAK® 1212-8S
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 2,5V, 10V	Baseproduktnummer SISS63
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.7mOhm ved 15A, 10V