SI2343DS-T1-GE3 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 14 173
Enhetspris : kr 147,33000
Datablad

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
På lager: 559 077
Enhetspris : kr 147,33000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
På lager: 33 145
Enhetspris : kr 131,32000
Datablad

Similar


Diodes Incorporated
På lager: 2 069
Enhetspris : kr 163,35000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 12 294
Enhetspris : kr 227,41000
Datablad

Similar


Torex Semiconductor Ltd
På lager: 23
Enhetspris : kr 432,39000
Datablad
P-kanal 30 V 3,1A (Ta) 750mW (Ta) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SI2343DS-T1-GE3

DigiKeys produktnummer
SI2343DS-T1-GE3TR-ND - Tape og spole (TR)
SI2343DS-T1-GE3CT-ND - Båndavsnitt (CT)
SI2343DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent
Produsentens produktnummer
SI2343DS-T1-GE3
Beskrivelse
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
P-kanal 30 V 3,1A (Ta) 750mW (Ta) Overflatemontering SOT-23-3 (TO-236)
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Båndavsnitt (CT)
Digi-Reel®
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
30 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
53mOhm ved 4A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
21 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
540 pF @ 15 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
750mW (Ta)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
SOT-23-3 (TO-236)
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.