Name: SCTWA60N120G2-4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-SCTWA60N120G2-4-ND
Price: 222 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCTWA60N120G2-4
DigiKeys produktnummer	497-SCTWA60N120G2-4-ND
Produsent	STMicroelectronics
Produsentens produktnummer	SCTWA60N120G2-4
Beskrivelse	SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	SCTWA60N120G2-4 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	STMicroelectronics
Serie	-
Emballasje	Rør
Delestatus	Siste kjøpstidspunkt
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	52mOhm ved 30A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	94 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	1969 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	388W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 200°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	TO-247-4
Kapsling	TO-247-4

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 229

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Siste kjøpsdato: 15.02.2026

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 177,60000	kr 177,60
10	kr 141,19600	kr 1 411,96
30	kr 130,55233	kr 3 916,57
120	kr 121,04758	kr 14 525,71
270	kr 116,98100	kr 31 584,87
510	kr 114,38037	kr 58 333,99

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.