N-kanal 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCTWA60N120G2-4

DigiKeys produktnummer
497-SCTWA60N120G2-4-ND
Produsent
STMicroelectronics
Produsentens produktnummer
SCTWA60N120G2-4
Beskrivelse
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Gjennomgående hull TO-247-4
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCTWA60N120G2-4 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
STMicroelectronics
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
60A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
52mOhm ved 30A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
94 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1969 pF @ 800 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
388W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 200°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
TO-247-4
Kapsling
TO-247-4
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 221
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Dette produktet er ikke lenger produsert og vil ikke lenger være lagervare etter at lageret er tømt. Vis Erstatninger.
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 169,26000kr 169,26
10kr 134,56900kr 1 345,69
30kr 124,42433kr 3 732,73
120kr 115,36550kr 13 843,86
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 169,26000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 211,57500