SCTW35N65G2V er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

Similar


Microchip Technology
På lager: 360
Enhetspris : kr 53,45000
Datablad

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
På lager: 300
Enhetspris : kr 138,99000
Datablad

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
På lager: 295
Enhetspris : kr 109,78000
Datablad

Similar


Taiwan Semiconductor Corporation
På lager: 265
Enhetspris : kr 96,85000
Datablad
N-kanal 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Gjennomgående hull HiP247™
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCTW35N65G2V

DigiKeys produktnummer
497-SCTW35N65G2V-ND
Produsent
Produsentens produktnummer
SCTW35N65G2V
Beskrivelse
SICFET N-CH 650V 45A HIP247
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 45A (Tc) 240W (Tc) Gjennomgående hull HiP247™
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCTW35N65G2V Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
67mOhm ved 20A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
73 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
1370 pF @ 400 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
240W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 200°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
HiP247™
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.