N-kanal 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Gjennomgående hull HiP247™
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

SCTW100N65G2AG

DigiKeys produktnummer
497-SCTW100N65G2AG-ND
Produsent
STMicroelectronics
Produsentens produktnummer
SCTW100N65G2AG
Beskrivelse
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 650 V 100A (Tc) 420W (Tc) Gjennomgående hull HiP247™
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
SCTW100N65G2AG Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
STMicroelectronics
Serie
-
Emballasje
Rør
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
100A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
26mOhm ved 50A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
5V ved 5mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
162 nC @ 18 V
Vgs (maks)
+22V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
3315 pF @ 520 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
420W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 200°C (TJ)
Grad
Bilteknikk
Godkjenning
AEC-Q101
Monteringstype
Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning
HiP247™
Kapsling
TO-247-3
Baseproduktnummer
SCTW100
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 387
Når tilgjengelig lager av dette produktet er tømt, vil produsentens standardemballasje og leveringstid gjelde.
På grunn av midlertidig begrenset tilgang, kan ikke DigiKey akseptere restordre akkurat nå.
Antall
Alle prisene er i NOK
Rør
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 330,39000kr 330,39
30kr 217,81833kr 6 534,55
120kr 215,53200kr 25 863,84
Produsentens standardpakking
Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 330,39000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 412,98750