Nytt hos DigiKey
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 95A (Tc) 246W (Tc) Chassismontering
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

GCMX016B120B3H1P

DigiKeys produktnummer
1560-GCMX016B120B3H1P-ND
Produsent
SemiQ
Produsentens produktnummer
GCMX016B120B3H1P
Beskrivelse
GEN3 1200V 16M SIC FULL BRIDGE M
Produsentens standard leveringstid
6 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
MOSFET-er – matriser 1200V (1,2kV) 95A (Tc) 246W (Tc) Chassismontering
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
SemiQ
Serie
QSiC™
Emballasje
Boks
Delestatus
Aktiv
Teknologi
Silisiumkarbid (SiC)
Konfigurasjon
4 N-kanal (helbro)
FET-egenskap
-
Drain til Source-spenning
1200V (1,2kV)
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
95A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs
23mOhm ved 50A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id
4V ved 120mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
258nC ved 18V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
7100pF ved 800V
Effekt - maks
246W (Tc)
Driftstemperatur
-40°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Chassismontering
Kapsling
Modul
Leverandørens enhetsforpakning
-
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 10
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Boks
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 492,18000kr 492,18
10kr 372,74600kr 3 727,46
100kr 353,23300kr 35 323,30
Produsentens standardpakking
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 492,18000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 615,22500
2 Varer
GCMX008B120B3H1P

GCMX008B120B3H1P

GEN3 1200V 8M SIC FULL BRIDGE MO

SemiQ

kr 802,64000
IMSQ120R012M2HHXUMA1

IMSQ120R012M2HHXUMA1

SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16

Infineon Technologies

kr 392,75000