Name: RQ3E080BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080BNTBTR-ND
Price: 8.075 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

RQ3E080BNTB
DigiKeys produktnummer	RQ3E080BNTBTR-ND - Tape og spole (TR) RQ3E080BNTBCT-ND - Båndavsnitt (CT) RQ3E080BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Rohm Semiconductor
Produsentens produktnummer	RQ3E080BNTB
Beskrivelse	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Produsentens standard leveringstid	16 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 30 V 8A (Ta) 2W (Ta) Overflatemontering 8-HSMT (3,2x3)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	RQ3E080BNTB Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 2.5V ved 1mA
Produsent Rohm Semiconductor	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 14.5 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 660 pF @ 15 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 2W (Ta)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur 150°C (TJ)
Drain til Source-spenning 30 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 8A (Ta)	Leverandørens enhetsforpakning 8-HSMT (3,2x3)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 4,5V, 10V	Kapsling 8-PowerVDFN
Rds på (maks) ved Id, Vgs 15.2mOhm ved 8A, 10V	Baseproduktnummer RQ3E080

Rapporter feil i produktinformasjon

Dokumenter og media

Miljø- og eksportklassifiseringer

Ytterligere resurser

På lager: 8 823

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Båndavsnitt (CT) & Digi-Reel®

* Alle ordrer som involverer produkter levert på Digi-Reel (bånd for kutting) får lagt til kr 60,00 rullegebyr (reeling fee)

Tape og spole (TR)