N-kanal 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Overflatemontering TO-263-7
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

MSC080SMA120SDT/R

DigiKeys produktnummer
150-MSC080SMA120SDT/R-ND
Produsent
Microchip Technology
Produsentens produktnummer
MSC080SMA120SDT/R
Beskrivelse
MOSFET SIC 1200 V 80 MOHM TO-263
Produsentens standard leveringstid
4 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 1200 V 35A (Tc) 182W (Tc) Overflatemontering TO-263-7
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Microchip Technology
Serie
MSiC™ MA
Emballasje
Bulk
Delestatus
Aktiv
FET-type
N-kanal
Teknologi
SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning
1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
35A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
100mOhm ved 15A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.8V ved 1mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
64 nC @ 20 V
Vgs (maks)
+23V, -10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
838 pF @ 1000 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
182W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
TO-263-7
Kapsling
TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 797
Se etter ytterligere innkommende lagervare
Antall
Alle prisene er i NOK
Bulk
Antall Enhetspris Utvidet pris
1kr 108,82000kr 108,82
25kr 100,39000kr 2 509,75
100kr 87,36230kr 8 736,23
Enhetspris uten merverdiavgift:kr 108,82000
Enhetspris med merverdiavgift:kr 136,02500