Name: IQE006NE2LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND
Price: 32.825 NOK
Availability: InStock

IQE006NE2LM5ATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE006NE2LM5ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE006NE2LM5ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE006NE2LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE006NE2LM5ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON
Produsentens standard leveringstid	29 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-TSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE006NE2LM5ATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	25 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	41A (Ta), 298A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,65mOhm ved 20A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	82.1 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±16V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	5453 pF @ 12 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TSON-8-4
Kapsling	8-PowerTDFN
Baseproduktnummer	IQE006

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 26,26000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 32,82500

IQE006NE2LM5ATMA1