Name: IQE004NE1LM7CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND
Price: 34.675 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IQE004NE1LM7CGATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IQE004NE1LM7CGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IQE004NE1LM7CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IQE004NE1LM7CGATMA1
Beskrivelse	TRENCH <= 40V
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 15 V 58A (Ta), 379A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Overflatemontering PG-TTFN-9-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IQE004NE1LM7CGATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	15 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	58A (Ta), 379A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	4,5V, 7V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,45mOhm ved 30A, 7V
Vgs(th) (maks) ved Id	2Vved 432µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	55 nC @ 7 V
Vgs (maks)	±7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6240 pF @ 7.5 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TTFN-9-3
Kapsling	9-PowerTDFN