Name: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND
Price: 94.6 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPT008N06NM5LFATMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPT008N06NM5LFATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPT008N06NM5LFATMA1
Beskrivelse	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Produsentens standard leveringstid	31 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Overflatemontering PG-HSOF-8
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPT008N06NM5LFATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	60 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	454A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	0,8mOhm ved 150A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.6V ved 250µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	185 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	980 pF @ 30 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	278W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOF-8
Kapsling	8-PowerSFN
Baseproduktnummer	IPT008N