Name: IAUS200N08S5N023ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND
Price: 56.4125 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IAUS200N08S5N023ATMA1
DigiKeys produktnummer	IAUS200N08S5N023ATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) IAUS200N08S5N023ATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) IAUS200N08S5N023ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IAUS200N08S5N023ATMA1
Beskrivelse	MOSFET N-CH 80V 200A HSOG-8
Produsentens standard leveringstid	18 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 80 V 200A (Tc) 200W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-8-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IAUS200N08S5N023ATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Drain til Source-spenning	80 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	200A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	6V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	2.3mOhm ved 100A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	3.8V ved 130µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	110 nC @ 10 V
Vgs (maks)	±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	7670 pF @ 40 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	200W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Bilteknikk
Godkjenning	AEC-Q101
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HSOG-8-1
Kapsling	8-PowerSMD, måkevinge
Baseproduktnummer	IAUS200