Name: IPM018N10NM5LF2AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND
Price: 121.0375 NOK
Availability: OutOfStock

Nytt produkt

N-kanal 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-4-1

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPM018N10NM5LF2AUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IPM018N10NM5LF2AUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IPM018N10NM5LF2AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Beskrivelse	IPM018N10NM5LF2AUMA1
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 30A (Ta), 285A (Tc) 3,8W (Ta), 349W (Tc) Overflatemontering PG-HSOG-4-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IPM018N10NM5LF2AUMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 1,7mOhm ved 100A, 15V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 3,45V ved 240µA
Serie OptiMOS™ 5	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 178 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 14000 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 3,8W (Ta), 349W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 30A (Ta), 285A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HSOG-4-1
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V, 15V	Kapsling 4-PowerSFN