Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 84.2 NOK
Availability: OutOfStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

PSMN2R3-100SSEJ
DigiKeys produktnummer	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Tape og spole (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Båndavsnitt (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Nexperia USA Inc.
Produsentens produktnummer	PSMN2R3-100SSEJ
Beskrivelse	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Overflatemontering LFPAK88 (SOT1235)
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	PSMN2R3-100SSEJ Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 4V ved 1mA
Produsent Nexperia USA Inc.	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 160 nC @ 10 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) ±20V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 17200 pF @ 50 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 341W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 100 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 255A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning LFPAK88 (SOT1235)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 10V	Kapsling SOT-1235
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2.2mOhm ved 25A, 10V	Baseproduktnummer PSMN2R3