IPD80R1K4CEBTMA1 er ikke på lager, restordrenotering er for øyeblikket ikke tilgjengelig.
Tilgjengelige erstatninger:

Parametrisk ekvivalent


Infineon Technologies
På lager: 2 486
Enhetspris : kr 18,09000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 0
Enhetspris : kr 17,19000
Datablad
PG-TO252-3-11
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IPD80R1K4CEBTMA1

DigiKeys produktnummer
IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
IPD80R1K4CEBTMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 800 V 3,9A (Tc) 63W (Tc) Overflatemontering PG-TO252-3-11
Datablad
 Datablad
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Ikke lenger tilgjengelig hos Digi-Key
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
800 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
1.4Ohm ved 2.3A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
3.9V ved 240µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
570 pF @ 100 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
63W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TO252-3-11
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

0 På lager
På grunn av midlertidig begrenset forsyning, kan vi ikke akseptere restordrenotering nå. Vi kan for øyeblikket heller ikke si noe om leveringstid. Vis Erstatninger.