Name: IMYH200R075M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Price: 243.2375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMYH200R075M1HXKSA1
DigiKeys produktnummer	448-IMYH200R075M1HXKSA1-ND
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMYH200R075M1HXKSA1
Beskrivelse	SIC DISCRETE
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 2000 V 34A (Tc) 267W (Tc) Gjennomgående hull PG-TO247-4-U04
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMYH200R075M1HXKSA1 Modeller

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Rør
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	2000 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	34A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	98mOhm ved 13A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,5V ved 7,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	64 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+20V, -7V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	267W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Gjennomgående hull
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TO247-4-U04
Kapsling	TO-247-4
Baseproduktnummer	IMYH200

Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

På lager: 204

Se etter ytterligere innkommende lagervare

Antall

Alle prisene er i NOK

Rør

Antall	Enhetspris	Utvidet pris
1	kr 194,59000	kr 194,59
30	kr 122,22000	kr 3 666,60
120	kr 113,23375	kr 13 588,05

Produsentens standardpakking

Merk: På grunn av DigiKeys verdiøkende tjenester (value-add services) kan emballasjetypen endres når produktet kjøpes i antall som er mindre enn standardpakken.