Name: IMDQ65R007M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ65R007M2HXUMA1TR-ND
Price: 338.05 NOK
Availability: OutOfStock

IMDQ65R007M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMDQ65R007M2HXUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMDQ65R007M2HXUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMDQ65R007M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMDQ65R007M2HXUMA1
Beskrivelse	IMDQ65R007M2HXUMA1
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 196A (Tc) 937W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22-1
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMDQ65R007M2HXUMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	650 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	196A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 20V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	6,1mOhm ved 146,3A, 20V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,6V ved 29,7mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	179 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	6359 pF @ 400 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	937W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HDSOP-22-1
Kapsling	22-PowerBSOP-modul

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 270,44000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 338,05000

IMDQ65R007M2HXUMA1