Name: IMCQ120R017M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND
Price: 266.7375 NOK
Availability: InStock

N-kanal 1200 V 118 W (Tc) 580W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMCQ120R017M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R017M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMCQ120R017M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMCQ120R017M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 118A 22PWRBSOP
Produsentens standard leveringstid	69 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 118 W (Tc) 580W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMCQ120R017M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 17,1mOhm ved 40A, 18V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,1V ved 12,7mA
Serie CoolSiC™ G2	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 91.1 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 3730 pF @ 800 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 580W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 1200 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 118 W (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-HDSOP-22
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 18V	Kapsling 22-PowerBSOP-modul