Name: IMBG65R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 341.2375 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG65R007M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R007M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R007M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG65R007M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 650V 238A TO263-7
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 238A (Tc) 789W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R007M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 2,97mA
Produsent Infineon Technologies	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 179 nC @ 18 V
Serie CoolSiC™ Gen 2	Vgs (maks) +23V, -7V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 6359 pF @ 400 V
Delestatus Aktiv	Effekttap (maks) 789W (Tc)
FET-type N-kanal	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Monteringstype Overflatemontering
Drain til Source-spenning 650 V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7-12
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 238A (Tc)	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Baseproduktnummer IMBG65R007
Rds på (maks) ved Id, Vgs 8,5mOhm ved 146,3A, 18V