Name: IMBG65R010M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND
Price: 258.675 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMBG65R010M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMBG65R010M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMBG65R010M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMBG65R010M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMBG65R010M2HXTMA1
Beskrivelse	SILICON CARBIDE MOSFET
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 650 V 158A (Tc) 535W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7-12
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMBG65R010M2HXTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Rds på (maks) ved Id, Vgs 9,1mOhm ved 92,1A, 20V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 5,6V ved 18,7mA
Serie CoolSiC™	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 112 nC @ 18 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks) +23V, -7V
Delestatus Aktiv	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4001 pF @ 400 V
FET-type N-kanal	Effekttap (maks) 535W (Tc)
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Drain til Source-spenning 650 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 158A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7-12
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 15V, 20V	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA