Name: IMCQ120R078M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND
Price: 95.6125 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

IMCQ120R078M2HXTMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R078M2HXTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMCQ120R078M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMCQ120R078M2HXTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 31A 22PWRBSOP
Produsentens standard leveringstid	26 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 31A (Tc) 176W (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	IMCQ120R078M2HXTMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	31A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	78,1mOhm ved 8,9A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,1V ved 2,8mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	23.2 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	880 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	176W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HDSOP-22-3
Kapsling	22-PowerBSOP-modul

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 76,49000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 95,61250

IMCQ120R078M2HXTMA1