Name: IMCQ120R005M2HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND
Price: 594.5125 NOK
Availability: OutOfStock

Nytt produkt

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

IMCQ120R005M2HXUMA1
DigiKeys produktnummer	448-IMCQ120R005M2HXUMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-IMCQ120R005M2HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	IMCQ120R005M2HXUMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 342A 22PWRBSOP
Produsentens standard leveringstid	12 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 342A (Tc) Overflatemontering PG-HDSOP-22-3
Datablad	Datablad

Produktegenskaper

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er
Produsent	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
FET-type	N-kanal
Teknologi	SiCFET (silisiumkarbid)
Drain til Source-spenning	1200 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	342A (Tc)
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)	15V, 18V
Rds på (maks) ved Id, Vgs	5mOhm ved 138,2A, 18V
Vgs(th) (maks) ved Id	5,1V ved 43,4mA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	261 nC @ 18 V
Vgs (maks)	+23V, -7V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	9760 pF @ 800 V
FET-egenskap	-
Effekttap (maks)	1364W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	-
Godkjenning	-
Monteringstype	Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning	PG-HDSOP-22-3
Kapsling	22-PowerBSOP-modul