Name: AIMBG120R010M1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND
Price: 437.0125 NOK
Availability: InStock

N-kanal 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

AIMBG120R010M1XTMA1
DigiKeys produktnummer	448-AIMBG120R010M1XTMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-AIMBG120R010M1XTMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-AIMBG120R010M1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	AIMBG120R010M1XTMA1
Beskrivelse	SICFET N-CH 1200V 205A TO-263
Produsentens standard leveringstid	61 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	N-kanal 1200 V 205A (Tc) 882W (Tc) Overflatemontering PG-TO263-7
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	AIMBG120R010M1XTMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Vis tomme egenskaper

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er Enkle FET-er, MOSFET-er	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 178 nC @ 20 V
Produsent Infineon Technologies	Vgs (maks) +25V, -10V
Serie CoolSiC™	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 5703 pF @ 800 V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Effekttap (maks) 882W (Tc)
Delestatus Aktiv	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
FET-type N-kanal	Grad Bilteknikk
Teknologi SiCFET (silisiumkarbid)	Godkjenning AEC-Q101
Drain til Source-spenning 1200 V	Monteringstype Overflatemontering
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 205A (Tc)	Leverandørens enhetsforpakning PG-TO263-7
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On) 18V, 20V	Kapsling TO-263-8, D2PAK (7 ledere + plate), TO-263CA
Rds på (maks) ved Id, Vgs 2598 tommer (1,676m²)	Baseproduktnummer AIMBG120
Vgs(th) (maks) ved Id Fleksibel 16" (406,4mm) - fiberoptisk