BSC159N10LSFGATMA1 er utfaset og produseres ikke lenger.
Tilgjengelige erstatninger:

MFR Recommended


Infineon Technologies
På lager: 4 646
Enhetspris : kr 6,71000
Datablad

Similar


Infineon Technologies
På lager: 3 371
Enhetspris : kr 14,19000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 9 553
Enhetspris : kr 24,90000
Datablad

Similar


onsemi
På lager: 5 983
Enhetspris : kr 24,12000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 13 275
Enhetspris : kr 13,29000
Datablad

Similar


STMicroelectronics
På lager: 3 102
Enhetspris : kr 15,16000
Datablad
PG-TDSON-8-1
Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC159N10LSFGATMA1

DigiKeys produktnummer
BSC159N10LSFGATMA1TR-ND - Tape og spole (TR)
Produsent
Produsentens produktnummer
BSC159N10LSFGATMA1
Beskrivelse
MOSFET N-CH 100V 9.4A/63A TDSON
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse
N-kanal 100 V 9,4A (Ta), 63A (Tc) 114W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-1
Datablad
 Datablad
EDA-/CAD-modeller
BSC159N10LSFGATMA1 Modeller
Produktegenskaper
Type
Beskrivelse
Velg alle
Kategori
Produsent
Serie
Emballasje
Tape og spole (TR)
Delestatus
Utdatert
FET-type
Teknologi
Drain til Source-spenning
100 V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C
Drivspenning (maks Rds On, min Rds On)
4,5V, 10V
Rds på (maks) ved Id, Vgs
15.9mOhm ved 50A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id
2.4V ved 72µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)
35 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds
2500 pF @ 50 V
FET-egenskap
-
Effekttap (maks)
114W (Tc)
Driftstemperatur
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
-
Godkjenning
-
Monteringstype
Overflatemontering
Leverandørens enhetsforpakning
PG-TDSON-8-1
Kapsling
Baseproduktnummer
Spørsmål og svar om produktet

Se hva teknikere spør om, still dine egne spørsmål eller hjelp et medlem av DigiKey-fellesskapet for teknikere

Utfaset
Dette produktet er ikke lenger produsert. Vis Erstatninger.