Name: BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC112N06LDATMA1TR-ND
Price: 26.8875 NOK
Availability: InStock

Trenger du hjelp?

Tilbakemelding

Om DigiKey Markedsplass Selg på DigiKey.com Ledige stillinger Sidekart Digitale løsninger Nyhetsrom

Hjelp og kundeservice Ordrestatus Fraktpriser / alternativer Problemer med retur og ordre

(+47) 23 50 26 66 eu.support@digikey.com

BSC112N06LDATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC112N06LDATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	8 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC112N06LDATMA1 Modeller

Type	Beskrivelse	Velg alle
Kategori	Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser
Produsent	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ T2
Emballasje	Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®
Delestatus	Aktiv
Teknologi	MOSFET (metalloksid)
Konfigurasjon	2 N-kanal (dobbel)
FET-egenskap	Logikknivåport
Drain til Source-spenning	60V
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C	20A (Tc)
Rds på (maks) ved Id, Vgs	11.2mOhm ved 17A, 10V
Vgs(th) (maks) ved Id	2.2V ved 28µA
Vgs Gate-lading (Qg) (maks)	55nC ved 10V
Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds	4020pF ved 30V
Effekt - maks	65W (Tc)
Driftstemperatur	-55°C – 175°C (TJ)
Monteringstype	Overflatemontering
Kapsling	8-PowerVDFN
Leverandørens enhetsforpakning	PG-TDSON-8-4
Baseproduktnummer	BSC112

Enhetspris uten merverdiavgift:	kr 21,51000
Enhetspris med merverdiavgift:	kr 26,88750

BSC112N06LDATMA1