Name: BSC112N06LDATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-BSC112N06LDATMA1TR-ND
Price: 31.225 NOK
Availability: InStock

Bildet som vises er kun en fremstilling. Nøyaktige spesifikasjoner må sjekkes på produktdatabladet.

BSC112N06LDATMA1
DigiKeys produktnummer	448-BSC112N06LDATMA1TR-ND - Tape og spole (TR) 448-BSC112N06LDATMA1CT-ND - Båndavsnitt (CT) 448-BSC112N06LDATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produsent	Infineon Technologies
Produsentens produktnummer	BSC112N06LDATMA1
Beskrivelse	MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Produsentens standard leveringstid	48 Uker
Kundereferanse
Detaljert beskrivelse	MOSFET-er – matriser 60V 20A (Tc) 65W (Tc) Overflatemontering PG-TDSON-8-4
Datablad	Datablad
EDA-/CAD-modeller	BSC112N06LDATMA1 Modeller

Produktegenskaper

Filtrer lignende produkter

Kategori Diskrete halvlederprodukter Transistorer FET-er, MOSFET-er FET-, MOSFET-matriser	Rds på (maks) ved Id, Vgs 11.2mOhm ved 17A, 10V
Produsent Infineon Technologies	Vgs(th) (maks) ved Id 2.2V ved 28µA
Serie OptiMOS™ T2	Vgs Gate-lading (Qg) (maks) 55nC ved 10V
Emballasje Tape og spole (TR) Båndavsnitt (CT) Digi-Reel®	Inngangskapasitans (Ciss) (maks) ved Vds 4020pF ved 30V
Delestatus Aktiv	Effekt - maks 65W (Tc)
Teknologi MOSFET (metalloksid)	Driftstemperatur -55°C – 175°C (TJ)
Konfigurasjon 2 N-kanal (dobbel)	Monteringstype Overflatemontering
FET-egenskap Logikknivåport	Kapsling 8-PowerVDFN
Drain til Source-spenning 60V	Leverandørens enhetsforpakning PG-TDSON-8-4
Strøm - kontinuerlig utløp (drain) (Id) ved 25°C 20A (Tc)	Baseproduktnummer BSC112