Galvanisk isolerte enkeltportdriver STGAP2SiCS for SiC-MOSFET-er

STMicroelectronics sin STGAP2SiCS er en høyspent (opp til 1200 V) portdriver produsert med BCD6s-teknologi. Den er inkludert i 6 kV-galvanisk isolasjon mellom portdriftkanalen, samt lavspennings-styringskretsene og tilkoblingskretsene. Den er inkludert i 6 kV galvanisk isolert familie i en kompakt kapsling. Enhetsutgangen kan motta og levere opptil 4 A. Forebygging av kryssledning sikres av en funksjon for gjensidig blokkering. Enheten har dedikerte inngangspinner for hver utgang. De logiske inngangene er CMOS/TTL-kompatible ned til 3,3 V for enkelt grensesnitt med styreenheter. Forsinket matching (samsvaring) mellom lavside- og høysideseksjon garanterer at det ikke blit noen syklusforvrengning og gjør det mulig med høyfrekvensdrift. STGAP2SiCS er tilgjengelig i to forskjellige konfigurasjoner. Konfigurasjonen med separerte utgangspinner lar brukere uavhengig optimalisere påkobling (påslåing) og avkobling (avslåling) ved å benytte av dedikerte portmotstander. Konfigurasjonen med en enkelt utgangspinne og Miller-klemmefunksjon forhindrer spisser på porten under raske kommutasjoner (strømvendiger) i halvbro-topologier.