Enkanals gate-drivere STGAP2GS/STGAP2GSN

STGAP2GS og STGAP2GSN fra STMicroelectronics er galvanisk isolerte enkanals gate-drivere for GaN-effekttransistorer med forsterkningsmodus i SO8 wide- og So8-standardkapslinger, de tilbyr den egnede isolerte driveren for GaN i et lite fotavtrykk som utnytter den nyeste galvaniske isolasjonsteknologien. Gate-driveren er karakterisert av utganger med spenningsområder (rail-to-rail) på 2 A source og 3A sink, noe som gjør enheten egnet for utrustninger med middels og høy effekt som strømomforming og motordriververtere i industrielle utrustninger.

DV/dt-transientimmunitet er ±100 V/ns i det fulle temperaturområdet, noe som sikrer enorm robusthet mot spenningstransienter. Enheten er tilgjengelig i separate alternativer for sink- og source-konfigurasjon for enkel gate-kjøring, for å optimalisere uavhengig på- og avkobling ved hjelp av uavhengige motstander.

Enheten integrerer beskyttelsesfunksjoner, inkludert termisk avstenging, som gjør driverutgangen lav når grenseskikttemperaturen (junction temperaturen) når en angitt terskel, og underspenningssperre (UVLO) med et optimalisert nivå for GaN-effekttransistorer med forsterkningsmodus, som muliggjør enkel design for pålitelige systemer med høy virkningsgrad. Doble inngangspinner gjør det mulig å velge signalpolaritetskontroll og implementering av HW-forbindelsesbeskyttelse for å unngå kryssledning.

Forplantningsforsinkelse (fordelingsforsinkelse) for inngang-til-utgang er innenfor 45 ns, noe som gir høy PWM-kontrollnøyaktighet. En standby-modus er tilgjengelig for å redusere strømforbruket på tomgang. De CMOS/TTL-kompatible logiske inngangene ned til 3,3 V sikrer enkelt grensesnitt med mikrokontroller og DSP-periferiutstyr.